Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7N60M2

MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7N60M2

STD7N60M2 Hakkında

STD7N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 60W güç disipasyonuna kapaklıdır. ±25V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok