Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7N60DM2

MOSFET N-CH 600V 6A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7N60DM2

STD7N60DM2 Hakkında

STD7N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 900mΩ maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Surface Mount TO-252 (DPak) paketlemesi ile standart PCB montajına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok