Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7LN80K5

MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7LN80K5

STD7LN80K5 Hakkında

STD7LN80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 1.15Ω on-direnci (Rds On) sayesinde enerji verimliliği sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel dönüştürücüler, invertör uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok