Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD6NM60N

MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD6NM60N

STD6NM60N Hakkında

STD6NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 4.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrollerinde ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 920mΩ on-direnci ve 13nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok