Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD6N65M2

STD6N65M2 Hakkında

STD6N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 1.35Ω maksimum On-direnci ve 9.8nC gate charge özelliğiyle anahtarlama işlemlerinde düşük kayıplar sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok