Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD6N62K3

MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD6N62K3

STD6N62K3 Hakkında

STD6N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 620V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.28Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve off-line SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma alanı sunar ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 90W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 706 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok