Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD6N60M2
STD6N60M2 Hakkında
STD6N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. 60W güç disipasyonu kapasitesi, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, AC-DC konvertörlerde, inverter uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışır. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 232 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok