Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD5NM60-1

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD5NM60

STD5NM60-1 Hakkında

STD5NM60-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V sürü geriliminde 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 18nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devreleri, AC/DC dönüştürücüler, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok