Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD5N60M2

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD5N60M2

STD5N60M2 Hakkında

STD5N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını sınırlandırır. DPAK (TO-252-3) paket tipi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt form sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında stabil çalışma performansı gösterir. Güç dönüştürücüleri, LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve indüktif yük anahtarlaması gerektiren devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 211 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok