Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD5N60DM2

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD5N60DM2

STD5N60DM2 Hakkında

STD5N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.55Ω maksimum on-resistance değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi, kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Anahtarlama ve doğrultucu devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışır ve 45W güç yayılım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 375 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok