Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD5N20T4

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD5N20T4

STD5N20T4 Hakkında

STD5N20T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 800mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. Gate kapasitansi 350pF (25V'de), gate yükü ise 27nC'dir. Maksimum 45W güç dissipasyonu ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlaması tasarımlarında tercih edilir. Çalışma sıcaklığı aralığı 150°C'ye kadar uzanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok