Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4NK80Z-1

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD4NK80Z

STD4NK80Z-1 Hakkında

STD4NK80Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme geriliminde 3.5Ω on-resistance değerine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve dönüştürücü devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 80W'a kadar güç tüketebilir. 22.5nC gate charge ve 575pF input capacitance özellikleri hızlı komutasyon gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok