Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD4NK60ZT4

STD4NK60ZT4 Hakkında

STD4NK60ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 2Ω maksimum gate-source direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Gate charge değeri 26nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Elektronik güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında tercih edilir. Not For New Designs statüsünde olmasına rağmen, mevcut sistemlerde kullanılmaya devam edebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok