Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD4NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD4NK60Z
STD4NK60Z-1 Hakkında
STD4NK60Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 2Ω on-resistance değeri ile enerji dönüşüm devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-251 (I-PAK) paketine sahip olması kompakt tasarımlar için uygundur. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok