Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4NK50Z-1

MOSFET N-CH 500V 3A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD4NK50Z

STD4NK50Z-1 Hakkında

STD4NK50Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paket içinde gelen bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, LED sürücüleri ve elektrik yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 2.7Ω maksimum on-direnç (10V gate geriliminde) ile verimliliği arttırır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışma yeteneğine sahiptir. Hızlı komütasyon ve düşük kapasitans değerleri ile kompakt tasarımları olan cihazlara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok