Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD4NK100Z
STD4NK100Z Hakkında
STD4NK100Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.2A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama işlemlerinde düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 18nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, şarj cihazları ve anahtarlama regülatörü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 601 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok