Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4N90K5

MOSFET N-CH 900V 3A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD4N90K5

STD4N90K5 Hakkında

STD4N90K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paket tipiyle sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yaparak güç elektronik devrelerine entegre edilir. 3A sürekli drenaj akımı ve 2.1Ω maksimum on-direnci ile konvertörler, invertörler, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen STD4N90K5, 60W güç dağıtım kapasitesine sahip olup, 5.3nC gate yükü ile hızlı komutasyon sağlar. 30V maksimum gate-source gerilimi devre tasarımında esneklik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 173 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok