Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD4N80K5
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD4N80K5
STD4N80K5 Hakkında
STD4N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, şarj cihazları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.5Ω on-direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 60W güç dissipasyonuna dayanır. Düşük gate charge (10.5 nC) hızlı anahtarlama sürelerini sağlar. ±30V gate voltajı aralığında güvenli operasyon sunmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok