Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4N62K3

MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD4N62K3

STD4N62K3 Hakkında

STD4N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 620V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi gören güç transistörüdür. 10V gate sürücü geriliminde 1.95Ω on-direnci ile endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar tipi güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 70W güç tüketebilen tasarımı, güvenilir ve verimli komutasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok