Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD4N52K3

MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD4N52K3

STD4N52K3 Hakkında

STD4N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 525V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) kasa tipi sayesinde yüzey montaj uygulamalarında kolay entegre edilebilir. Anahtarlama devrelerinde, güç denetim sistemlerinde, AC/DC konvertörlerde ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığı ve düşük kapı yükü (2nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 45W güç dağıtım kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 334 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok