Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD3NM60N
STD3NM60N Hakkında
STD3NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 3.3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V kapı geriliminde 1.8Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. DPAK (TO-252-3) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 188 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok