Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD3NM60-1

MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD3NM60

STD3NM60-1 Hakkında

STD3NM60-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında 3A devamlı akım kapasitesine sahiptir. 1.5Ω maksimum RDS(on) direnci ile güç kaybını minimize eder. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. Enerji yönetimi, AC/DC konverterleri, motor kontrol devreleri ve enerji depolama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 42W güç tüketimi toleransı vardır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok