Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD3NM50T4
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD3NM50T4
STD3NM50T4 Hakkında
STD3NM50T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. DPAK (TO-252) yüzey montajlı paket formatında sunulur. Gate eşik gerilimi 5V'tir ve maksimum 46W güç yayıma dayanıklıdır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Bileşen mevcut üretimde bulunmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok