Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD3NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4 Hakkında

STD3NK80ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim dayanımı ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 70W güç tüketebilir. Endüstriyel kontrolcüler, güç kaynakları, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate threshold gerilimi 4.5V ile standart lojik kontrolü destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok