Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD3NK80Z-1

MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD3NK80Z

STD3NK80Z-1 Hakkında

STD3NK80Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 4.5Ohm maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 70W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 19nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok