Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD3NK60ZD

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD3NK60Z

STD3NK60ZD Hakkında

STD3NK60ZD, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan güç elektronikleri devrelerinde yer alır. Anahtarlama uygulamaları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve boost konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 3.6Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 311 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok