Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD3N80K5

MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD3N80K5

STD3N80K5 Hakkında

STD3N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5A sürekli dren akımı ve 3.5Ω maksimum RDS(on) değeriyle yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. Gate eşik gerilimi 5V'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 60W güç saçabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj DC/DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük kapasitans değerleri (130pF @ 100V) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok