Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD30NE06LT4

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD30NE06LT4

STD30NE06LT4 Hakkında

STD30NE06LT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 30A maksimum sürekli drenaj akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve güç yönetim uygulamalarında yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 28mOhm RdsOn direnci ile düşük iletim kayıpları sağlar. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında 55W güç dağıtabilir. 5V ve 10V drive voltage seçenekleriyle esnek tasarım imkanları sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok