Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD2NM60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD2NM60T4
STD2NM60T4 Hakkında
STD2NM60T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 3.2Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 8.4nC gate charge ve 160pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 150°C maksimum çip sıcaklığı ve 46W güç disipasyonu kapasitesi ile güç dönüştürme, anahtarlama ve kontrol devrelerinde kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilim aralığında çalışır. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok