Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD2NK60Z
STD2NK60Z-1 Hakkında
STD2NK60Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.4A sürekli dren akımı ile küçük güç kontrolü gerektiren devrelerde yer alır. 8Ω on-direnci ve 10V gate geriliminde optimum performans sunar. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 45W güç dissipasyonuna sahiptir. Threshold gerilimi 4.5V olup ±30V gate gerilim toleransıyla çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok