Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD2LN60K3

MOSFET N CH 600V 2A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD2LN60K3

STD2LN60K3 Hakkında

STD2LN60K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5Ω RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan STD2LN60K3, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. ±30V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok