Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD2HNK60Z
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD2HNK60Z
STD2HNK60Z Hakkında
STD2HNK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı kasa içinde sunulmaktadır. 10V gate sürme geriliminde 4.8Ω maksimum kanal direnci ve 45W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor denetim devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 15 nC gate yükü ve 280 pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok