Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD20P3H6AG

MOSFET P-CH 30V 20A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD20P3H6AG

STD20P3H6AG Hakkında

STD20P3H6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim dayanımı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, pil yönetim devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 40W güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok