Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD1NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD1NK80ZT4

STD1NK80ZT4 Hakkında

STD1NK80ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 16Ohm maksimum on-resistance değeri ile güç kayıplarını sınırlandırır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, enerji dönüştürme uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 150°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir. 45W güç disipasyon kapasitesi ve düşük gate charge özellikleri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda verimlilik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok