Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD1NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD1NK80Z
STD1NK80Z-1 Hakkında
STD1NK80Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 16Ohm (max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve yüksek gerilim kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate eşik gerilimi 4.5V olup, ±30V maksimum gate gerilimi tolerans gösterir. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok