Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD1NK60T4

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD1NK60T4

STD1NK60T4 Hakkında

STD1NK60T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 8.5Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile güç tüketimini minimize eder. TO-252 (DPak) surface mount paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynağı uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 30W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile uygun soğutma koşullarında güvenilir performans sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 156 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok