Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD1NK60-1
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD1NK60
STD1NK60-1 Hakkında
STD1NK60-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için kullanılır. 8.5Ω maksimum on-state direnç (10V gate geriliminde 500mA akımda) ile enerji verimliliği sağlar. Gate yükü 10nC ve kapasitans değerleri düşük olan bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrolü, switched-mode power supplies (SMPS) ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 156 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok