Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD1HNC60T4

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD1HNC60T4

STD1HNC60T4 Hakkında

STD1HNC60T4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/2A N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 5Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında, 50W güç dağıtım kapasitesiyle kaynak şalterler, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılabilir. ±30V Gate-Source gerilimi aralığında ve 4V Gate threshold voltajıyla çalışır. Düşük input kapasitans (228pF @ 25V) hızlı komütasyona olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok