Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD1HN60K3
STD1HN60K3 Hakkında
STD1HN60K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPAK) SMD paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 10V gate gerilimi ile çalıştırılır ve 8Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 9.5nC gate charge ve 140pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok