Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD19N3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD19N3LLH6AG
STD19N3LLH6AG Hakkında
STD19N3LLH6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 33mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi birçok endüstriyel ve consumer elektronik uygulamasında kullanılmaktadır. 30W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Bileşen şu anda obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok