Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD18N60M6

STD18N60M6 Hakkında

STD18N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 13A sürekli dren akımı kapasitesi ve 280mΩ (10V, 6.5A'de) on-state direnci ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel güç dönüştürücü devreleri, motor sürücüleri, AC/DC adaptörleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 110W güç dağıtabilen bu MOSFET, yüksek voltaj izolatörlü anahtar uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok