Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD16N65M2
STD16N65M2 Hakkında
STD16N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 110W güç dissipasyonu kapasitesi ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, inverter ve DC-DC konvertörlerde yer alır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 360mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 718 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok