Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD16N60M2

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD16N60M2

STD16N60M2 Hakkında

STD16N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli drain akımı ve 320mΩ RDS(on) değeriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında yer almaktadır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 110W güç saçabilir. Gate charge değeri (19nC @ 10V) ve düşük input kapasitansı (700pF @ 100V) hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarımı ortaya koymaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok