Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD15P6F6AG

MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD15P6F6

STD15P6F6AG Hakkında

STD15P6F6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 10A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 160mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında 35W güç yayabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma alanı sunur. 6.4nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok