Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD15N60M2
STD15N60M2-EP Hakkında
STD15N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak voltajı (Vdss) ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 378mOhm maksimum açık durumda dirençle (Rds On) verimli güç iletimi sağlar. 110W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile pik şiddeti yüksek uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPAK) Surface Mount paketlemesi ile kompakt PCB tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 378mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok