Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD15N60DM6

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD15N60DM6

STD15N60DM6 Hakkında

STD15N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü ve koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 110W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 338mOhm (10V, 6A'da) düşük RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 607 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 338mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok