Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD13NM60ND
STD13NM60ND Hakkında
STD13NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş voltajında 380mΩ maksimum on-direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve indüktif yük kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilen bileşen, 109W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok