Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD13NM60N

STD13NM60N Hakkında

STD13NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 360mOhm tipik on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. DPAK paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. ±25V maksimum kapı gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 90W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok