Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD13N65M2

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD13N65M2

STD13N65M2 Hakkında

STD13N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 430mΩ on-resistance (10V gate geriliminde) ile düşük kayıp sağlar. Sıcak nokta sıcaklığında 150°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±25V gate gerilim toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok