Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD13N60DM2
STD13N60DM2 Hakkında
STD13N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 365mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli geçitleme sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında 110W maksimum güç harcaması ile uzun süreli güvenilir çalışma sunar. 19nC gate charge değeri hızlı açılıp kapanma özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok